Nie jesteś zalogowany.
Jeśli nie posiadasz konta, zarejestruj je już teraz! Pozwoli Ci ono w pełni korzystać z naszego serwisu. Spamerom dziękujemy!
Prosimy o pomoc dla małej Julki — przekaż 1% podatku na Fundacji Dzieciom zdazyć z Pomocą.
Więcej informacji na dug.net.pl/pomagamy/.
Witam!
Jestem studentką poprawiającą kolokwium z wstępu do mikroelektroniki.
Chciałabym Was prosić o pomoc przy pewnym zadaniu, które pojawiło się na jednym z terminów, a do którego nie jestem w stanie znaleźć poprawnej odpowiedzi. (Przeszukałam wykłady, książkę "Podstawy Mikroelektroniki" M. Napieralskiej, G. Jabłońskiego oraz google).
Zadanie brzmi: Narysować przekrój tranzystora MOS z kanałem wzbogaconym typu n wykonanym w
technologii z podłożem typu n. Narysować topografię tego tranzystora.
A druga wersja kanał wzbogacony i podłoże są typu p.
Czy w pierwszym przypadku chodzi o przekrój pMOSa (kanał wzbogacony typu n, na podłożu n),
a w drugim nMOSa? (kanał typu p, podłoże typu p).
Wiem, że to może banalne pytanie, ale naprawdę mam z nim problem. Jak będą wyglądały topografie tych tranzystorów?
Będę bardzo wdzięczna za odpowiedź i pomoc - może wskazówka do jakiejś dobrej lektury? Ostatnią poprawkę mam w poniedziałek, a chciałabym móc zaliczyć ten przedmiot.
Offline
Typ kanału = typ tranzystora → nmos leży w studni typu p kanał ma typu n i vice versa.
Wystarczy google graphics zapytać o "mos cross section".
Z polsko języcznej literatury to tylko Marciniak, np. "Przyrządy półprzewodnikowe...".
Offline