Forum Debian Users Gang

Lorenzo napisał(-a):

Wszystko zależy od układu. Jeśli masz na myśli jednotranzystorwą komórkę DRAM to tranzystor robi za klucz dostępu do pojemności podpiętej do jego źródła (teraz wykorzystuje się pojemności samego tranzystora, ale chyba tylko w komórka trójtranzystorowych). Bramka feta jest podpięta do linii słów, natromiast dren do linii bitów. Jeżeli linia słów jest na zasilaniu (jednyka) to masz dostęp do informacji zgromadzonej w kondensatorze.

No właśnie to opisałem powyżej tylko po chłopsku ;P

Mój temat z jakiego odpowiadam to: półprzewodniki, budowa, zastosowanie na przykładzie pamięci stałych. Pytania po kolei to były elementarna komórka pamięci, poszedłem w tranzystor (no takie mam w pamięciach stałych), teraz myślę opisać to na przykładzie w działaniu  tranzystora n-MOS.

To co wyjaśniłeś bardzo mi pasuje ". Bramka feta jest podpięta do linii słów, natromiast dren do linii bitów. Jeżeli linia słów jest na zasilaniu (jednyka) to masz dostęp do informacji zgromadzonej w kondensatorze." teraz jak niby jest tam odczytywane "0"? Ja zrozumiałem iż dając wyższe napięcie powoduje się odpływ elektronów z warstwy zaporowej i na kanał się zamyka. Czyli teoretycznie rozumując z tego co Ty napisałeś o dostępie odcina się możliwość odczytu informacji?

Jestem z tego mało pojmujący. To jest przedmiot wrypany przez kochaną UE na piątym roku studiów o kierunku hydrogeologia i zwie się fizyka współczesna. Gdzie prof. tłumaczy zjawiska fizyczne po fizycznemu - prosto mówiąc z 15 wykładów nie zrozumiałem nic.